濺射靶材在很多行業(yè)應(yīng)用生產(chǎn)都有非常重要的作用,尤其是在半導(dǎo)體生產(chǎn)上對電子元器件產(chǎn)品性能的提升有很大的幫助,高阻濺射靶材是電阻器生產(chǎn)的重要材料,這種技術(shù)的使用可以有效提高合金電阻器的性能,那么高阻濺射靶材如何制造合金電阻器呢,下面我們來進(jìn)行分析。
目前很流行制造金屬膜電阻器一般采用熱壓成型高阻靶材產(chǎn)品,可以克服由于Si元素含量偏高引起的靶材脆性較高,容易開裂的難題;所制造的靶材晶粒尺寸細(xì)小、大小分布均勻、致密度高、外部無裂紋、內(nèi)部無孔隙,能夠有效提升金屬膜電阻器的質(zhì)量和薄膜沉積速率。同時在合金熔煉過程中添加少量稀土元素能夠減少Zr元素在合金組織中的偏聚現(xiàn)象,改善靶材成分分布均勻性。它的制造流程如下:
一、高阻濺射靶材配料:組分為Si、Cr、Ni、Al、Zr及稀土金屬;重量比為,Si:30-70%,Cr:25-50%,Ni:2-20%,Al:0.5-5%,Zr:0.5-5%,其中五元素質(zhì)量百分比總和為100%,稀土金屬添加量為五元素總質(zhì)量的0.1-2.5%;
二、高阻濺射靶材熔煉:采用真空感應(yīng)熔煉爐制備合金鑄錠;
三、高阻濺射靶材制粉:將合金錠制成所需粉料;
四、高阻濺射靶材熱壓成型:定量稱取合金粉料裝入熱壓燒結(jié)爐熱壓成型;
五、高阻濺射靶材機(jī)加工:對燒結(jié)后樣品進(jìn)行表面拋光及外形加工處理。
由上五點制造流程,而制造這些靶材需要的稀土金屬包括Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的一種或幾種。高阻濺射靶材的真空感應(yīng)熔煉爐可以是真空感應(yīng)懸浮熔煉爐,熔煉功率為45KW—60KW,熔煉過程3—5分鐘,在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行。高阻濺射靶材的制粉,其粉料粒度為小于500μm。高阻濺射靶材熱壓成型,熱壓爐內(nèi)真空度高于1×10-2Pa,燒結(jié)溫度為1030-1100℃,成型壓力為15-35MPa,保溫保壓1-4小時。
通過高阻濺射靶材所制造靶材晶粒尺寸細(xì)小、大小分布均勻、致密度高、外部無裂紋、內(nèi)部無孔隙,能夠有效提升金屬膜電阻器的質(zhì)量和薄膜沉積速率,而且成品率高,易于規(guī)模化生產(chǎn)。目前國際市場上生產(chǎn)電阻器的公司都在采用這種制造方法,而且在高阻濺射靶材的選擇上也進(jìn)行多層選材,以便提高生產(chǎn)效率。
新時代,新技術(shù)層出不窮,我們關(guān)注,學(xué)習(xí),希望在未來能夠與時俱進(jìn),開拓創(chuàng)新。